Блог об IT-бизнесе

К счастью, родина до сих пор не разродилась полнвесным запретом GPS и насиальственным переходом на отечественные (то есть заказанные в Китае) ГЛОНАССовские чемоданы, чрезвычайно удобные для сидения в заболоченных местах. Читать полностью »

Создание пула соединений с базой данных позволяет приложению повторно использовать существующие соединения из пула вместо многократного
установления новых. Этот прием может значительно повысить масштабируемость приложения, так как ограниченное число соединений позволяет
обслуживать намного большее количество клиентов. Читать полностью »

Соединение с базой данных — критически важный, дорогостоящий и ограниченный ресурс, особенно в многоуровневых Web-приложениях. Крайне важно правильно управлять соединениями, так как от этого в значительной мере зависит общая масштабируемость приложения. Читать полностью »

Типы (классы, структуры, перечислимые и т.д.), связанные с каждым из провайдеров данных .NET, находятся в собственных пространствах имен. Читать полностью »

Уменьшение угла ? (угол |2<|з) приводит к повышению добротности ПАИ. Учитывая неравенство (5), можно отметить, что при этом повышается устойчивость устройства, так как уменьшаются R0 и \R-\ [7]. С повышением температуры ВАХ OEPL перемещается в положение OGRU. Потенциал базы транзистора VT1 уменьшается, в результате чего транзистор VT5 частично закрывается. Читать полностью »

Схема ПАИ, в котором индуктивность L3K» изменяется за счет приращения Д|#-| [5].

В исходном состоянии транзисторы закрыты. Повышение питающего напряжения приводит к увеличению тока, протекающего через резистивный делитель RK\, /?кбь Яб, /?кб2, #к2. В момент равенства падения напряжения на резисторах RKII /?K6I(lRk2, Якбг) напряжению база —эмиттер ?/БЭ транзистора VT2 (VT1) через резисторы RKeu RK62 замыкается положительная обратная связь по току. На ВАХ это соответствует участку АВ (рис. 3). Перемещением движка переменного резистора R2 осуществляется изменение базовых токов транзисторов VT3, VT4, сопротивлений переходов коллектор — эмиттер и их шунтирующего действия на резисторы RKI) 7?K6i. В результате изменяют¬ся условия включения и выключения эквивалента р—п—р—п-структуры, а следовательно, и \R-\. В устройстве (см. рис. 2) повышение питающего напряжения приводит к увеличению |/?-|, так как усиливается действие положительной обратной связи по току. Читать полностью »

Решение задачи микроминиатюризации радиоэлектронной аппаратуры требует создания полупроводниковых аналогов индуктивности (ПАИ) [1]. Для этого необходимо разработать методы электронного управления индуктивностью в широких пределах» что особенно важно при использова¬нии ПАИ в радиоэлектронных устройствах с дистанционным управлением. Целью работы является разработка и исследование управляемых шщуктив-ностей на основе структур р—п—р—/г-типа. Читать полностью »

Минимизация функции качества ф(0) осуществляется методами нелинейного програм¬мирования нулевого порядка с применением статического алгоритма глобального поиска и модифицированного алгоритма локального поиска Пауэлла.
При оптимизации выходных характеристик ЛИС используется метод векторной оптимизации [7]; при этом для формирования математической модели ЛИС применен метод узловых потенциалов в сочетании с методом разреженных матриц. При проектиро¬вании ЛИС математическая модель получается в процессе форми¬рования матрицы проводимостей в базисе узловых потенциалов, которая редукцией Гаусса приводится к матрице второго порядка. При известных характеристических параметрах эквивалентного четырехполюсника и заданных проводимостях источника сигнала и нагрузки определяются все основные параметры ЛИС. В качестве целевой функции принимается наиболее характерный параметр проектируемого типа усилителя; например, для широкополосного усилителя — максимальная площадь усиления.  Читать полностью »

В качестве линейной малосигнальной модели ТИП применяется модель Логана для биполярного транзистора [3], представляющая собой линеаризованный вариант передаточной модели Эбер-са-Молла. Модель построена на базе П-образной схемы замещения и учитывает следующую зависимость эффективного коэффициента передачи тока базы /Б от площади коллекторного усилительного транзистора VT1 и ширины базы X инжектирующего транзистора VT2: Читать полностью »

Успешная разработка цифровых БИС с инжекционным питанием (ИП) [1] и перспективность линейных интегральных схемг (ЛИС) [2] определяют возможность реализации цифро-аналоговых устройств в одном кристалле полупроводника. В связи с этим требуется создание машинно-ориентированных методов и алгоритмов анализа и оптимизации ЛИС, совместимых с методами проектирования цифровых схем с ИП и позволяющих формализовать процедуру разработки таких схем, повысить качество, сократить сроки и снизить трудоемкость проектирования. Читать полностью »

Независимо от места подключения источника опорного напряжения полупроводниковой пластины отношение C2/G2 будет постоянным и равно е”/о. Обозначим г = (ог///о — частотно-зависимое со¬противление полупроводника, x = Ci/C2. Параметр г характеризует влияние полупроводниковой подложки, а х — влияние конструктивного подключения источника опорного напряжения на паразитные параметры линии передачи. Читать полностью »

Одной из характерных тенденций развития микроэлектроники последних лет, особенно в связи с созданием быстродействующих, СБИС, становится возрастание роли соединительных шин (СШ). Современную микросхему часто рассматривают уже не как совокупность активных элементов, взаимодействующих через СШ, а скорее как созданную специальным образом систему сигнальных линий — проводников, возбуждаемую активными элементами |[1,2]. Читать полностью »

Участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением на входной ВАХ полевого транзистора в режиме прямого смещения р—я-перехода отсутствует в том случае, когда ток затвора в точке впадины не выше тока в точке пика входной ВАХ, т. е. выполняется условие /зв^/зп- Читать полностью »

В полевом транзисторе с прямосмещенным р—/г-переходом затвора наблюдается эффект модуляции проводимости областей канала носителями заряда, инжектированными из затвора [1]. Однако этот эффект в отличие от однопереходных транзисторов не приводит к возникновению участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на входных вольт-амперных характеристиках (ВАХ) полевого транзистора, если ток стока изменяется с током затвора [2, 3]. Режим стабилизации тока стока, который характерен для усилительных каскадов интегральных микросхем на полевых транзисторах, отличается по условиям от рассмотренного в [2], поэтому вполне возможно такое проявление неустойчивой работы полевого транзистора, как возникновение на входных ВАХ участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Читать полностью »

При исчерпании предела регулирования АРУ, когда /п = /птах = = const, компенсация увеличения сопротивления термочувствитель¬ного элемента ТКП прекращается. С этого момента начинается постепенное понижение уровня на выходе регулируемого усилителя. Читать полностью »

Из (1) следует, что большим длинам усилительных участков и •максимальной температуре кабеля соответствуют малые значения J?T, которые обеспечиваются при больших токах подогрева ТКП. Поэтому терморезисторы на необслуживаемых усилительных пунктах, прилегающих к удлиненным участкам, будут работать в особенно тяжелом тепловом режиме, что отрицательно скажется на их долговечности. Читать полностью »

В аппаратуре многоканальных аналоговых систем передачи (АСП), где требования к нелинейности регулирующих элементов являются особенно жесткими, широко используются терморезисто¬ры косвенного подогрева (ТКП). Как известно, долговечность по¬лупроводниковых элементов зависит от их температурного режи¬ма. Например, уменьшение температуры перехода в транзисторе на 10° С вдвое увеличивает его наработку на отказ [1]. Читать полностью »

Напряжения, подаваемые на вспомогательные тиристоры Г7 и Г12 (см. рис. 2-4), образуются путем дифференцирования и последующего выпрямления напряжений, снимаемых с выходных обмоток мультивибраторов МВ0, MBi, МВ2 и МВ3 (обмотки ау16-о, WiT-o, ш18_0, W7-U ш7_2 и Ш7-3). Для получения напряжений, управляющих силовы¬ми тиристорами инвертора (/—б), производятся сложение и вычитание напряжений, сни-маемых с выходных обмоток мультивибратора МВ0 и одно¬го из мультивибраторов МВи МВ2 или МВз. Читать полностью »

Пусть в исходный момент времени открыты транзисторы Т7 и Г6 (см. диаграмму рис. 7-10). Тогда к базе транзистора Гд будет приложено положительное напряжение обмотки w7_0 и, следователь¬но, транзистор Г9 будет закрыт, а транзистор Гш открыт. При переключении транзисторов в МВ0 изменится полярность напряжения на обмотках w7_o и w8_o и полярность напряжения на обмотке w8_0 станет соответствовать Однако переключения мультивибратора МВ{ не про¬изойдет, так как одновременно с переключением мультивибра¬тора МВ0, как отмечалось вы¬ше, подается открывающий импульс на транзистор Т2, конденсатор С разряжается, транзи¬сторы Г3 и Т6 закрываются и цепь синхронизации мультиви-братора MBi размыкается. После того как напряжение на конденсаторе превысит разность напряжений смещения и модуляции (на диаграмме для упрощения взят случай, когда напряжение модуляции постоянно т. е. F=0), напряжение на базе транзистора Т3 стано¬вится отрицательным и он от-крывается. Одновременно открывается и транзистор Гб. По-Т\0 мультивибратор MBi пе-переключении  проводящему напряжению диода в цепи базы Гц  Читать полностью »

На¬пряжение смещения получается путем выпрямления прямоугольного напряжения, снимаемого с обмотки ПУ6_О ведущего мультивибратора MBQ. ЕСЛИ ап + ИМ<?/СМ, то к базе транзистора Г3 приложено положительное напряжение и он закрыт. По мере заряда конденсатора С значение ип увеличивается и ип + им становится больше ?/СМ. В это время к базе транзистора Г3 прикладывается отрицательное напряжение и он открывается. При открывании транзистора Т2 пи¬лообразное напряжение становится равным нулю и транзистор Г3 вновь закрывается. Таким образом, при

МП + ИМ<?/СМ
транзистор Г3 закрыт;

при «П + ИМ>?/СМ
транзистор Г3 открыт.

Читать полностью »